Carbon Siliciumcarbid
Produktbeschreibung
Carbon Siliciumcarbid ist ein synthetisches Carbid mit der molekularen Formel sic. LT wird aus Siliziumdioxid und Kohlenstoff bei hohen Temperaturen über 2000 Grad gebildet. Es ist ein Halbleiter mit der molekularen Formel sic. Bei Raumtemperatur befindet sich Industrie -Siliziumcarbid ein Halbleiter. Carbon -Silizium -Carbid hat eine relativ hohe Härte, die auf der MOHS -Skala nur vor Diamond ist. Es hat eine hohe Härte, eine hohe Verschleißfestigkeit und eine hohe Korrosionsbeständigkeit, sodass es in einer Vielzahl von Verschleiß, korrosionsresistenten und hochtemperaturbeständigen mechanischen Teilen weit verbreitet ist, ist eine neue Art von technischen Keramik-neuen Materialien.
Produktparameter

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Eigenschaften von Siliziumkarbid
Physische Eigenschaften
Siliziumkarbid hat eine relative Dichte von 3,20 und eine Härte von 9,5. Es hat einen hohen Schmelzpunkt von 2.700 Grad und macht es ein hochtemperaturbeständiges Keramikmaterial. Darüber hinaus weist Siliziumkarbid eine gute thermische Leitfähigkeit auf und ist ein ausgezeichneter Wärmeleiter.
Chemische Eigenschaften
Siliziumkarbid hat eine starke chemische Stabilität. Es ist inert und korrosionsfest und praktisch undurchlässig gegen Chemikalien. Siliziumkarbid ist in der Natur halbleitend und kann daher hohen elektrischen Feldstärken ohne Eigenschaftenverlust standhalten.
Anwendungen von Siliziumkarbid
Refraktionen und Schleifmittel
Aufgrund seines hohen Schmelzpunkts, der chemischen Stabilität und des Widerstands gegen thermische Schwingung wird Siliziumkarbid üblicherweise bei der Herstellung von refraktären Materialien wie Schuppenplatten für Kilns und Aluminiumelektrolyse -Tankauskünfte verwendet. Darüber hinaus wird Siliziumkarbid zur Herstellung von Schleifmitteln verwendet, die für die Verarbeitung von Glas, Keramik, Stein, Gusseisen, zementiertem Carbid und anderen Materialien geeignet sind.
Elektronische Geräte
Siliziumcarbid verfügt über eine breite Palette von Anwendungen in elektronischen Geräten, insbesondere im Bereich der Leistungselektronik. Es wird häufig bei der Herstellung von hocheffizienten Halbleiter-Geräten wie MOSFETs, BJTs, JFETs und Schottky-Barrierendioden verwendet. Diese Geräte spielen eine wichtige Rolle bei Elektrofahrzeugen, Hybridfahrzeugen, Hochgeschwindigkeitszügen, Industriemotorfahrten und Stromumwandlung.
Unternehmensprofil

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